IXTH26N60P IXTQ26N60P
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
IXTT26N60P
IXTV26N60P IXTV26N60PS
Fig. 10. Gate Charge
80
10
70
60
50
40
9
8
7
6
5
V DS = 300V
I D = 13A
I G = 10mA
30
20
10
0
T J = 125 o C
T J = 25 o C
4
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
0
10
20
30
40
50
60
70
80
10000
1000
100
10
V S D - Volts
Fig. 11. Capacitance
f = 1MHz
C iss
C oss
C rss
Q G - nanoCoulombs
0
5
10
15
20
25
30
35
40
V D S - Volts
Fig. 12. M axim um Trans ie nt The rm al Re s is tance
1.00
0.10
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
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